富硒西瓜溫室栽培屬于精細集約栽培，技術(shù)性強，必須采取綜合配套措施，才能達到早熟、高產(chǎn)、高效的目的。
1.整地施肥。
溫室早熟富硒西瓜一般栽培密度較大，需要精細整地。如果使用冬季休閑溫室，冬季前應深耕25cm，冷凍袋，使土壤松散。將一半的底部肥料完全撒在土壤中，然后翻入土壤中，打開溝渠進行集中施肥和床。在整地過程中，應將前茬作物的根系從棚子中取出。
溫室內(nèi)的邊界一般可以采用小高壟和高邊界，按行距l(xiāng)-1.2米作為邊界。在支架密植、嫁接栽培、雙蔓整枝、每株留一瓜的情況下，最好將1米行距作為小高壟。在地面爬行栽培時，可以使用南北邊界垂直平行于溫室）。
底肥用量及類型:一般畝施優(yōu)質(zhì)穩(wěn)定肥4000-5000kg(或腐雞糞3000-4000kg)，過磷酸鈣50kg，硫酸鉀15-20kg，腐餅肥100kg�；手械挠袡C肥一般耕翻時施用一半，豐產(chǎn)溝施用另一半。
2.移植定植。
溫室富硒西瓜采用三層薄膜覆蓋，比拱棚雙覆蓋早10天左右。溫室內(nèi)的種植密度一般可大于拱棚雙覆蓋，需要更仔細的分枝，支撐栽培比地面爬行栽培更密集。溫室過度密集種植是不合適的，特別是在春季多雨、光線較弱的地區(qū)。
溫室內(nèi)富硒西瓜的種植方法；首先在扣膜的邊界表面根據(jù)植物距離劃定植物穴位，然后在陽光明媚的日子種植，從上午9點到下午繭。固定植物穴位的大小應與土塊或營養(yǎng)碗的大小相適應。然后將適量的底水倒入穴位，直到水剛滲出。種植幼苗時，小心取下塑料碗，將完整的土塊種植到固定植物穴位，使土塊表面與邊界表面平整或稍微暴露出來。糾正瓜苗后，填充土壤。沿土塊周圍用手輕輕壓實填充的土壤，也可在固定植物當天暫時不封閉。第二天再澆一次小水閉，有利于緩慢幼苗。整個棚子種植后，可以清潔邊界表面，并在壟斷表面插入一個小拱，上面有一個小拱棚，上面有一個龍拱棚。由于溫室內(nèi)沒有風，所以拱棚也可以在下午2-3點前完成。
3.溫濕度控制。
濕度管理。定植后5-7天內(nèi)，注意提高地面溫度，保持孤獨妻子以上，促進幼苗緩慢。如果白天溫度高于35度，應盡量遮光降溫。幼苗緩慢后，可開始通風，以調(diào)節(jié)棚內(nèi)溫度。一般來說，白天不高于32度，夜間不低于15度。在此期間，棚溫可以通過打開和關(guān)閉天窗來控制。當瓜蔓長約31厘米時，可以拆除小拱棚。溫室富硒西瓜的開花期應保持充足的光照和較高的夜間溫度，因為如果人工授粉后夜間溫度較低，會導致果實脫落，影響果實肥大。當外部溫度超過18度時，應增加通風。天窗和棚子兩側(cè)應同時通風，白天不應超過30度，以防止晝夜溫差過高和晝夜溫度過高。在此期間，富硒西瓜進入膨脹期和成熟期。高晝溫和日溫差會導致果肉質(zhì)量下降。
濕度管理。溫室內(nèi)空氣相對濕度較高，在覆蓋地膜的條件下可顯著降低空氣濕度。一般來說，在富硒西瓜生長的早期階段，棚內(nèi)空氣濕度較低，但由于蒸騰量大，灌溉量增加，棚內(nèi)空氣濕度增加，植物滿葉（支架栽培人員）或封條（地面攀爬栽培人員）后。白天的相對濕度一般為60%-70%，夜間為80%-90%。為了降低棚內(nèi)空氣濕度和病害，可采取適當?shù)拇胧�，如在陽光明媚和溫暖的白天關(guān)閉棚內(nèi)，增加空氣循環(huán)，在行間鋪草，減少土壤表面蒸發(fā)。在生長的中后期，最好保持60-70%的相對濕度。
4.調(diào)節(jié)光照和氣體成分。
增加采光量。富硒西瓜需要較強的光強。然而，由于溫室棚膜表面的露珠或表面不干凈，人棚內(nèi)的光強往往會降低，尤其是在多層覆蓋的情況下。因此，應注意保持棚膜清潔，不要使用透光率差的舊薄膜。溫室內(nèi)的光主要來自頂部（上光）和側(cè)面（側(cè)光），地面膜在生長初期也有一定的反射作用。在支架密集栽培的情況下，距地面1米以上葉片面積的正常光合作用對富硒西瓜的產(chǎn)量有很大的影響。因此，在富硒西瓜的生長期，應始終保持棚頂和兩側(cè)的光線暢通無阻地進入溫室，使棚內(nèi)1米以上的葉片在生長中后期也能獲得足夠的光照。因此，在富硒西瓜的生長期間，應始終保持棚頂和兩側(cè)的光線暢通無阻地進入溫室內(nèi)，使棚內(nèi)1米以上的葉片在生長中后期也能獲得足夠的光照。一切都要嚴格修剪，及時權(quán)力和屋頂，使屋頂葉片與棚頂膜之間有30-40厘米的距離，防止相互關(guān)閉。
棚內(nèi)氣體調(diào)節(jié)。在溫室封閉條件下，空氣中二氧化碳含量嚴重不足，影響光合作用的正常進行和同化產(chǎn)品的積累。二氧化碳施肥是為了人工提高棚內(nèi)二氧化碳濃度，補充棚內(nèi)二氧化碳含量不足。方法有：一是在棚內(nèi)新鮮馬糞，發(fā)酵過程中可釋放二氧化碳，每立方米空間堆放516kg，二是燃燒丙烷氣可產(chǎn)生二氧化碳。在600平方米的溫室中，燃燒1.2-1.5kg可使溫室中的二氧化碳濃度高達1.3ml/kg，燃燒丙烷氣的數(shù)量可根據(jù)棚的面積確定；第三，焦炭二氧化碳發(fā)生器的應用可以在焦炭充分燃燒時釋放二氧化碳；第四，最簡單的方法是在不受腐蝕的容器中釋放濃鹽酸，然后釋放少量石流（碳酸鈣），通過化學反應可以產(chǎn)生二氧化碳。二氧化碳施肥的最佳時間是水果的新鮮度，特別是上午1-1ml。
5.整枝綁蔓。
整根樹枝。在溫室密集種植條件下，應實施更嚴格的整根樹枝。擴散后，當主蔓延長30-50cm時，側(cè)蔓也明顯伸展。當側(cè)蔓延長到20cm左右時，選擇一個強壯的側(cè)蔓，其余全部去除，然后取出主蔓延和側(cè)蔓延長出的側(cè)蔓。在瓜節(jié)上留下10-15片葉子，打頂部。整個分支工作主要在瓜坐前進行。在支架栽培的情況下，去側(cè)蔓（分支）工作應始終進行到滿架和頂部。去除側(cè)蔓延時，取出卷須。
搭架綁蔓。在溫室支架栽培的情況下，應采用立架。竹竿也可以用吊繩，但最好用粗竹竿，因為竹竿不容易掉瓜。種植后20多天，主蔓長約30厘米。拆除溫室內(nèi)的小拱棚后，立即插入。根據(jù)每株瓜苗，可插入兩根竹竿。在植物兩側(cè)，距植物根部超過10厘米。竹竿應插入牢固和直立。插入立架后，開始引導和綁扎蔓延。當蔓延長度為30-40厘米時，爬行的瓜蔓可以立即引入。每個蔓延都有一根桿。在綁扎作業(yè)中，應注意理蔓。在后期，應注意不要碰大瓜。綁扎和整枝工作可以結(jié)合起來。在地面攀爬栽培的情況下，溫室富硒西瓜的理蔓方法與雙覆蓋栽培基本相同。只是因為在溫室里，擴散后可以及時引導和整枝，也可以節(jié)省壓力和蔓延等措施。在溫室內(nèi)地攀爬栽培的情況下，也應采用嚴格的雙蔓整枝法。
6.人工授粉。
由于棚內(nèi)富硒西瓜的開花習性，應在上午8-9:00授粉。陰天雄花散粉晚，可適當延遲。為了防止陰雨天雄花散粉晚，第一天下午可以取回第二天可以開的雄花，放在室內(nèi)干燥溫暖的條件下，第二天上午可以按時開花散粉，然后用這朵花授粉雌花。應該從第二朵雌花開始授粉。
7.選瓜吊瓜。
為了提高單瓜的重量，糾正瓜的形狀，我們應該選擇坐在第二朵雌花上的瓜。如果瓜過早，瓜小，瓜形不正。如果太晚，不利于早上市場。一般授粉后3-5天，瓜胎明顯長大，優(yōu)先在主蔓上留瓜；如果你把瓜留在主蔓上，你可以把瓜留在側(cè)蔓上。在支架栽培的情況下，當瓜長到碗口大約0.5公斤時，應及時掛瓜，防止小瓜增大后墜落。在地面攀爬栽培的情況下，應選擇瓜、墊瓜、翻瓜，如拱棚栽培。
8.追肥灌水。
溫室富硒西瓜前期澆水不宜過大。一般來說，幼苗緩慢后，如果地面不干燥，就不能澆水；如果太干燥，可以沿著溝渠灌溉一次。從那時起，保持地面濕潤干燥，控制灌溉，提高地溫，使瓜苗強壯。在擴散期，在插入支架之前，可以灌溉兩次水。水量適中。開花坐果期不澆水，以防止過度生長和促進坐瓜。小瓜生長到雞蛋大小后，可每3-4天澆水一次，促進小瓜膨脹。在支架栽培的情況下，溫室富硒西瓜的追肥可以在支架前和溫室內(nèi)的小拱棚拆除后，在瓜壟兩側(cè)的淺溝中施用氮磷復合肥20kg/畝，硫酸鉀5-10kg/畝，促進伸根發(fā)芽，為開花坐果奠定基礎。小瓜坐下后，長到雞蛋大小時，然后施用20kg復合肥（結(jié)合灌溉和沖洗），以促進長瓜。果實確定后，可在0.3%磷酸二氫鉀葉面上追肥2次。在收獲二茬后，可以采集二茬。
9.病蟲害防治等管理。
溫室富硒西瓜生長期的主要害蟲是蚜蟲。為了預防和控制蚜蟲，DDV+樂果（1：1）2000倍液體可在苗床定植前噴灑。在膨瓜盛期，棚內(nèi)葉片茂盛，空氣循環(huán)差，蚜蟲嚴重。我們必須注意嚴格的藥物防治。主要病害為白粉病，應盡快預防和控制。膨瓜期應開始預防和控制炭疽病。在生長中后期，應注意加強通風，降低棚內(nèi)空氣濕度，這可以大大降低富硒西瓜的病害。溫室富硒西瓜，特別是支架栽培，由于富硒西瓜果實保護良好，光線良好，果實形狀正確，皮膚明亮，無陰陽面，可生產(chǎn)高檔富硒西瓜。
